第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展（ICDIA创芯展）在苏州开幕，同期举办的 “2025年度中国创新IC—强芯评选” 结果正式揭晓。美佳音自主研发的1200V 13mΩ碳化硅SiCMOS MGX15N120N凭借卓越的技术创新性和良好的市场成长性，在百余款参评产品中脱颖而出，成功斩获 “2025中国创新IC—潜力新秀奖”。

中国创新IC·强芯评选

“强芯评选”面向全国设计企业征集评选出一批技术领先、竞争力强、质量可靠的中国创芯产品，为系统整机、品牌终端、用户单位提供选型参考，以此推动国芯国用，共建自主产业生态。作为一年一度的国产IC 推优平台，对鼓励我国集成电设计技术创新，推广国芯国用与整机联动，促进 IC 成果产业化起到了积极作用。

获奖产品：MGX15N120N

1200V13m2 SiC MOSFET   平面栅工艺  替代E3M0016120K

典型应用

新能源车主电驱逆变器。

40~60KW 充电/储能模块

22KW车载充电机OBC

50KW车载DC/DC变换器

主要特性

击穿电压VDS max:1200V

海容容容要单示:

正向电流ID max:152AO

驱动电压VGS max:-10/+25V

阈值电压VGS(th)max:3.8V

导通电阻RDS(O0N)typ:13mQ@VGS=18V,ID=60A

栅极电荷Qg:280nCe

结温Tj:-55°C~+175°CO

封装:TO-247-4、TO-247-3

优势

参照AEC-Q101/JESD22标准测试

6英寸晶圆高良率量产(>91% CP良率)

更好兼容15V SilGBT驱动电路

更低的Ciss/EoSS,更小的切换损耗

更低的Eon/Eoff/Orr,领先的开关损耗

未来，美佳音会持续聚焦创新研发，推动碳化硅SiCMOS在智能汽车、智慧能源、智慧电力、智能家电等更多智能应用场景的落地。