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    GaN功率器件研发工程师

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    23K-30K

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    首页 人才服务 招聘岗位
    职位描述
    • 设计用于GaN功率器产品、 掩模版图设计和流片实现
    • 工艺流程设计和设置以及与工艺工程师合作进行设备制造
    • 计划实验、数据分析与反馈(包括 DOE)
    • 器件表征,包括直流和动态分析,以优化器件设计
    • 分析的性能、制造、测试和可靠性问题以及提出改进方案
    任职要求
    • 电子工程、工程物理或相关工程学位的硕士或博士学位
    • 拥有功率器件物理背景
    • 拥有功率器件设计、制造和表征方面的经验
    • 熟练使用 Keysight B1505 / B1500 / 2400/2410 测量平台
    • 熟练使用 L-edit / Cadence 布局设计工具
    • 有器件TCAD 模拟经验
    • 具备任务和时间管理的能力
    • 具备良好的沟通和团队合作能力
    • 有技术文档编写经验
    投递方式
    1.在线投递
    2.投递简历至邮箱hr@zhsia.org.cn
    公司名称
    英诺赛科(珠海)科技有限公司
    公司地址
    0756-3666036
    member@zhsia.org.cn