智能终端制造商 OPPO 发布了最新的旗舰手机 Find X8/X8 pro，OPPO 此次发布的 Find X8/X8 pro系列手机采用了英诺赛科全链路氮化镓（AllGaN）技术，从电源侧的快速充电（80W超级闪充和50W无线充）到手机内部主板的充电过压保护（OVP），均采用了英诺赛科氮化镓。

　　第三代半导体氮化镓材料具备高能效、高频率的特性，能够打造体积更小、充电更快且安全性更高的产品。

　　OPPO 在 Find X8/X8 pro 系列手机主板充电过压保护和50W无线充产品中，采用了英诺赛科40V双向导通芯片VGaN，一颗替代两颗背靠背的Si MOS，大大简化了内部空间，使产品设计更加轻薄。同时，VGaN 具备双向导通或关断的特性，能在手机充电过程中对电池进行主动保护，增强了安全性和使用寿命。50W 无线充更是满足了用户随时随地快速充电的需求。

　　充电侧的超级闪充则采用了英诺赛科高压 GaN，该芯片采用 TO-252 封装，阻抗更低，散热更强，效率更高。根据 OPPO 官方数据对比，采用英诺赛科高压 GaN 的 80W 超级闪充与此前标配的 80W 适配器相比，体积减小约18%，随身携带更方便。

　　据悉，此前OPPO 已有多个系列产品（包括 Find X7/X8/Ultra，Realme GT 系列，一加 Ace 系列，以及 50W~150W 快充）的主板和充电器均采用了英诺赛科 AllGaN 技术，实现了产品性能与竞争力的领先。