近日，行家说第三代半导体年会—碳化硅&氮化镓产业高峰论坛在深圳举办。数百家SiC&GaN企业代表出席，共同见证第三代半导体产业的创新与发展。12月12日晚，“2024行家极光奖”颁奖典礼拉开帷幕，英诺赛科荣获第三代半导体年度标杆领军企业等三项荣誉，迄今为止，已连续三年获评。“行家极光奖”由行家说开创，每年举办一届，旨在表彰持续进行技术创新，助力产业进步的国内外碳化硅和氮化镓企业，本届行家极光奖特别设立了“十强企业榜单”、“年度企业”、“年度优秀产品”三大奖项，力图为第三代半导体行业树立标杆，提升企业品牌认知度和影响力，为行业发展注入创新力与推动力。

第三代半导体领军/十强企业

英诺赛科作为氮化镓功率半导体的领导者，拥有全球最大的八英寸硅基氮化镓晶圆生产制造能力，是唯一实现氮化镓高、低压芯片量产的IDM企业。2024年，英诺赛科基于八英寸高性能、高可靠性的氮化镓平台，进行了产品的研发和应用技术的开发与推广，实现了行业创新和突破。截止2024年Q3，氮化镓产品出货量已突破10亿颗。在此次行家说半导体年会上，英诺赛科凭借其先进的氮化镓技术和优秀的市场开拓能力，主动引领行业进步，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。

年度影响力产品

除了企业荣誉，英诺赛科 40V 车规级产品 INN040FQ045A-Q 还在本次极光奖评选中荣获“年度影响力产品”奖。该产品是基于英诺赛科40V车规平台开发的一款超小封装的氮化镓车规芯片，已通过AEC-Q101车规级认证。INN040FQ045A-Q具备小体积、低损耗、高频高功率的优点，是继车载激光雷达之后第二款打入车规前装市场的氮化镓芯片，可以满足UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）等车载充电通讯模块的大功率充电和高频通讯需求，为新能源汽车的智能化、便捷化提供助力。

2024年，英诺赛科已荣获国际电子成就奖（最佳功率半导体/驱动器）、“中国芯”优秀技术创新产品奖、GaN行业卓越奖、OPPO 2024最具创新奖等多项荣誉。作为半导体行业的领导者，英诺赛科将持续创新，增强产品竞争力，与合作伙伴携手并进，为行业创造更多价值。