12月30日，氮化镓功率半导体企业英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”）正式在香港联合交易所主板挂牌上市，开盘市值超过270亿港元。

公开资料显示，英诺赛科成立于2017年，是一家专注于宽禁带半导体氮化镓研发与制造的高新技术企业。英诺赛科采用IDM全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸GaN-on-Si晶圆量产线，拥有全球最大的氮化镓功率半导体生产基地，并率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产。其产品覆盖氮化镓晶圆、氮化镓分立器件、合封芯片、模组等，可广泛应用于消费与家电、数据中心、汽车电子、新能源与工业等领域。

英诺赛科表示，当前，公司已与OPPO、Vivo、小米等手机厂商，安克、绿联等电商，速腾、禾赛等新能源汽车领域厂商，以及家电、储能行业的头部企业建立了密切合作关系，其产品InnoGaN也在手机OVP（过压保护）、快充、车载激光雷达、车载PD、家电马达驱动、工业电机驱动、数据中心服务器电源、BMS电池管理、储能双向变换器、光伏MPPT等产品中大批量量产。2023年，以折算氮化镓分立器件出货量计算，英诺赛科在全球氮化镓功率半导体公司中市场份额排名第一，市占率达42.4%。截至2024年6月，累计出货量超过8.5亿颗。

作为宽禁带半导体的代表性材料，氮化镓凭借一系列优良的物理特性，在消费电子、汽车、数据中心、可再生能源和工业等多个领域的应用潜力广阔，市场规模呈现快速增长态势。业内认为，随着在港交所主板的成功上市，英诺赛科有望借助国际资本市场的力量进一步提升其在全球氮化镓市场的地位。